Name: CSD86336Q3D
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CSD86336Q3D

Artikelnummer:

CSD86336Q3D

Hersteller / Marke:

N/A

Teil der Beschreibung.:

25V POWERBLOCK N CH MOSFET

Datenblätte:

None

RoHs Status:

ROHS3 -konform

ECAD -Modell:

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Spezifikationen
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Verpackung

~~CSD86336Q3D Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments CSD86336Q3D.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	8-VSON (3.3x3.3)
Serie	NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.1mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
Leistung - max	6W
Verpackung / Gehäuse	8-PowerTDFN
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 125°C

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V
FET-Merkmal	Logic Level Gate, 5V Drive
Drain-Source-Spannung (Vdss)	25V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	20A (Ta)
Konfiguration	2 N-Channel (Half Bridge)
Grundproduktnummer	CSD86336Q3
CSD86336Q3D Einzelheiten PDF [English]	CSD86336Q3D PDF - EN.pdf

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Die Rückgaben müssen innerhalb von 60 Tagen nach dem Datum der Rechnung angefordert werden und enthalten:
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Rückgaben werden nach 60 Tagen nicht akzeptiert.Zurückgegebene Elemente müssen in Originalverpackungen und einem realierbaren Zustand sein.Rückgaben aufgrund von Kundenfehlern zum Zeitpunkt des Angebots oder des Kaufs werden nicht akzeptiert.Wenden Sie sich vor dem Versand an den Kundendienst für die Rücksendung der Genehmigung.

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https://www.Y-IC.com/RFQ-Quote.htm
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